
SIC
碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料,是制作耐高溫、耐高壓、耐高頻、大功率器件的理想材料。碳化硅的禁帶寬度大約是硅的3倍,臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)大約是硅的10倍。

蘇公網(wǎng)安備32021402003099
技術(shù)支持:無(wú)錫網(wǎng)站建設(shè)